OPA2316IDGK พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ OPA2316IDGK เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ OPA2316IDGK ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ OPA2316IDGK ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
OPA2316IDGK
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- OPA2316IDGK
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC OPAMP GP 10MHZ 8VSSOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29590 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- OPA2316IDGK.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว / คู่ (±): | - |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท: | 5pA |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 8-VSSOP |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tube |
| โพลาไรซ์: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| ประเภทขาออก: | Rail-to-Rail |
| ปฐมนิเทศ: | 2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนบิต / ขั้นตอน: | 500µV |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| แม็กซ์กระแสไฟขาออกช่อง X @ โหลด: | CMOS |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | OPA2316IDGK |
| ขยายคำอธิบาย: | CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-VSSOP |
| ลักษณะ: | IC OPAMP GP 10MHZ 8VSSOP |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (หลัก IC): | 1.8 V ~ 5.5 V |
| ปัจจุบัน - อุปทาน: | 400µA |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล: | 10MHz |
| ช่องสัญญาณต่อ IC: | 50mA |
| -3dB แบนด์วิดธ์: | 6 V/µs |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ OPA2316IDGK
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น