O 0,032768-JSO15B1TR-K-1V3-T1-RR-D พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ O 0,032768-JSO15B1TR-K-1V3-T1-RR-D เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ O 0,032768-JSO15B1TR-K-1V3-T1-RR-D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ O 0,032768-JSO15B1TR-K-1V3-T1-RR-D ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
O 0,032768-JSO15B1TR-K-1V3-T1-RR-D
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- O 0,032768-JSO15B1TR-K-1V3-T1-RR-D
- ผู้ผลิต:
- Jauch Quartz
- ลักษณะ:
- OSC MEMS TCXO 32.7680KHZ LVCMOS
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 33615 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- O 0,032768-JSO15B1TR-K-1V3-T1-RR-D.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.5 V ~ 3.63 V |
| ชนิด: | TCXO |
| ขนาด / มิติ: | 0.061" L x 0.033" W (1.54mm x 0.84mm) |
| ชุด: | JSO15-TR |
| ความนิยม: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-UFBGA, CSPBGA |
| เอาท์พุต: | LVCMOS |
| ชื่ออื่น: | 1908-1087-6 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 13 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.024" (0.60mm) |
| ฟังก์ชัน: | - |
| ความเสถียรของความถี่: | ±10ppm |
| ความถี่: | 32.768kHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 32.768kHz TCXO LVCMOS Oscillator 1.5 V ~ 3.63 V 4-UFBGA, CSPBGA |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | 1.2µA (Typ) |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (ปิดใช้งาน) (สูงสุด): | - |
| ตัวสร้างเสียงฐาน: | MEMS |
| ช่วงดึงสัมบูรณ์ (APR): | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ O 0,032768-JSO15B1TR-K-1V3-T1-RR-D
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS