NTD6416AN-1G
NTD6416AN-1G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NTD6416AN-1G
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
25064 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
NTD6416AN-1G.pdf

บทนำ

NTD6416AN-1G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NTD6416AN-1G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NTD6416AN-1G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NTD6416AN-1G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:I-PAK
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:81 mOhm @ 17A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):71W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ชื่ออื่น:NTD6416AN-1G-ND
NTD6416AN-1GOS
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:620pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:20nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 100V 17A (Tc) 71W (Tc) Through Hole I-PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:17A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest