NT3225SA-19.2M-DJA3002B พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NT3225SA-19.2M-DJA3002B เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NT3225SA-19.2M-DJA3002B ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NT3225SA-19.2M-DJA3002B ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NT3225SA-19.2M-DJA3002B
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NT3225SA-19.2M-DJA3002B
- ผู้ผลิต:
- NDK
- ลักษณะ:
- OSC VCTCXO 19.2MHZ CLPD SNWV SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 34566 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- NT3225SA-19.2M-DJA3002B.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.8V |
| ชนิด: | TCXO |
| ขนาด / มิติ: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| ชุด: | NT3225SA |
| ความนิยม: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-SMD, No Lead |
| เอาท์พุต: | Clipped Sine Wave |
| ชื่ออื่น: | 50157446 644-1090-2 DJA3002A DJA3002B END3574C NT3225SA-19.200000MHZ-T2 NT3225SA19200000MHZT2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -30°C ~ 75°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.039" (1.00mm) |
| ฟังก์ชัน: | - |
| ความเสถียรของความถี่: | ±2.5ppm |
| ความถี่: | 19.2MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 19.2MHz TCXO Clipped Sine Wave Oscillator 2.8V 4-SMD, No Lead |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | 1.5mA |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (ปิดใช้งาน) (สูงสุด): | - |
| ตัวสร้างเสียงฐาน: | Crystal |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NT3225SA-19.2M-DJA3002B
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร