NRS6012T1R0NMGJ พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NRS6012T1R0NMGJ เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NRS6012T1R0NMGJ ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NRS6012T1R0NMGJ ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NRS6012T1R0NMGJ
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NRS6012T1R0NMGJ
- ผู้ผลิต:
- Taiyo Yuden
- ลักษณะ:
- FIXED IND 1UH 2.4A 60 MOHM SMD
- ปริมาณสต็อค:
- 42862 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.NRS6012T1R0NMGJ.pdf2.NRS6012T1R0NMGJ.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | Wirewound |
| ความอดทน: | ±20% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
| การป้องกัน: | Shielded |
| ชุด: | NR, S Type |
| ความนิยม: | - |
| Q @ ความถี่: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Nonstandard |
| ชื่ออื่น: | LM NRS6012T 1R0NMGJ |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -25°C ~ 120°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| วัสดุ - คอร์: | Ferrite |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| ความถี่เหนี่ยวนำ - การทดสอบ: | 100kHz |
| การเหนี่ยวนำ: | 1µH |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.047" (1.20mm) |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 95MHz |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 1µH Shielded Wirewound Inductor 2.4A 60 mOhm Max Nonstandard |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | 60 mOhm Max |
| พิกัดกระแส: | 2.4A |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | 3A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NRS6012T1R0NMGJ
ข่าว Latest
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC