NLSV1T244MUTBG พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NLSV1T244MUTBG เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NLSV1T244MUTBG ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NLSV1T244MUTBG ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NLSV1T244MUTBG
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NLSV1T244MUTBG
- ลักษณะ:
- IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 6UDFN
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29824 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- NLSV1T244MUTBG.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - VCCB: | 0.9V ~ 4.5V |
| แรงดันไฟฟ้า - VCCA: | 0.9V ~ 4.5V |
| ประเภทนักแปล: | Voltage Level |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 6-UDFN (1.2x1) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 6-UFDFN |
| ประเภทขาออก: | Tri-State, Non-Inverted |
| สัญญาณเอาท์พุท: | - |
| ชื่ออื่น: | NLSV1T244MUTBG-ND NLSV1T244MUTBGOSTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| จำนวนแผงวงจร: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 13 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| สัญญาณอินพุต: | - |
| คุณลักษณะเด่น: | Over Voltage Protection, Power-Off Protection |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Voltage Level Translator Unidirectional 1 Circuit 1 Channel 6-UDFN (1.2x1) |
| อัตราการส่งข้อมูล: | - |
| ช่องต่อวงจร: | 1 |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด): | Unidirectional |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | NLSV1T244 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NLSV1T244MUTBG
ข่าว Latest
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์