NLAS4051DR2G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NLAS4051DR2G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NLAS4051DR2G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NLAS4051DR2G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NLAS4051DR2G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NLAS4051DR2G
- ลักษณะ:
- IC MUX/DEMUX 8X1 16SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 50610 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.NLAS4051DR2G.pdf2.NLAS4051DR2G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว (V +): | 2.5 V ~ 5 V |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, Dual (V ±): | ±3V |
| เวลาสแตนด์บาย (Ton, Toff) (สูงสุด): | 23ns, 23ns |
| วงจรสวิตช์: | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-SOIC |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ชื่ออื่น: | NLAS4051DR2GOS NLAS4051DR2GOS-ND NLAS4051DR2GOSTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| ความต้านทานต่อสภาพ (สูงสุด): | 26 Ohm |
| จำนวนแผงวงจร: | 1 |
| วงจร Multiplexer / Demultiplexer: | 8:1 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 1 Circuit IC Switch 8:1 26 Ohm 16-SOIC |
| ปัจจุบัน - การรั่วไหล (IS (ปิด)) (สูงสุด): | 100nA |
| crosstalk: | - |
| Charge Injection: | 12pC |
| การจับคู่ช่องกับช่อง (ΔRon): | 10 Ohm |
| ช่อง Capacitance (CS (ปิด), CD (ปิด)): | 10pF, 10pF |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | NLAS4051 |
| -3dB แบนด์วิดธ์: | 95MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NLAS4051DR2G
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่