NJU7102AD พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NJU7102AD เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NJU7102AD ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NJU7102AD ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NJU7102AD
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NJU7102AD
- ผู้ผลิต:
- JRC Corporation / NJRC
- ลักษณะ:
- IC COMPARATOR DUAL CMOS 8-DIP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 34826 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- NJU7102AD.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว / คู่ (±): | 3 V ~ 14 V |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท (สูงสุด): | 12mV @ 5V |
| ชนิด: | General Purpose |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-DIP |
| ชุด: | - |
| ล่าช้าในการกระจาย (สูงสุด): | 3µs |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| ประเภทขาออก: | CMOS, Push-Pull, TTL |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C |
| จำนวนขององค์ประกอบ: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| hysteresis: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Comparator General Purpose CMOS, Push-Pull, TTL 8-DIP |
| ปัจจุบัน - Quiescent (สูงสุด): | - |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (ประเภท): | 20mA |
| ปัจจุบัน - อินพุตอคติ (สูงสุด): | 1pA @ 5.5V |
| CMRR, PSRR (ประเภท): | 82dB CMRR |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NJU7102AD
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น