NJU6052V-TE1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NJU6052V-TE1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NJU6052V-TE1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NJU6052V-TE1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NJU6052V-TE1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NJU6052V-TE1
- ผู้ผลิต:
- JRC Corporation / NJRC
- ลักษณะ:
- IC LED DRIVER RGLTR DIM 20SSOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 49090 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- NJU6052V-TE1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย (ต่ำสุด): | 3V |
| แรงดันไฟฟ้า - การจัดหา (สูงสุด): | 5.5V |
| แรงดันไฟฟ้า - ออก: | - |
| ชนิด: | DC DC Regulator |
| โทโพโลยี: | Step-Up (Boost) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 20-SSOP |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 20-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| ชื่ออื่น: | NJU#6052V-TE1 NJU#6052V-TE1-ND NJU6052V-TE1# NJU6052V-TE1#-ND NJU6052V-TE1TR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| จำนวนขาออก: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| สวิทช์ภายใน (s): | Yes |
| ความถี่: | 350kHz |
| dimming: | PWM |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | LED Driver IC 1 Output DC DC Regulator Step-Up (Boost) PWM Dimming 60mA 20-SSOP |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง: | 60mA |
| การประยุกต์ใช้งาน: | Backlight |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NJU6052V-TE1
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU