NJM2846DL3-23-TE1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NJM2846DL3-23-TE1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NJM2846DL3-23-TE1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NJM2846DL3-23-TE1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NJM2846DL3-23-TE1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NJM2846DL3-23-TE1
- ผู้ผลิต:
- JRC Corporation / NJRC
- ลักษณะ:
- IC REG LINEAR 2.3V 800MA TO252-5
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 32311 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- NJM2846DL3-23-TE1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันตก (สูงสุด): | 0.28V @ 500mA |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (ต่ำสุด / คงที่): | 2.3V |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด): | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อินพุต (สูงสุด): | 14V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-252-5 |
| ชุด: | - |
| คุณสมบัติการป้องกัน: | Over Temperature, Short Circuit |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-6, DPak (5 Leads + Tab) |
| PSRR: | 75dB (1kHz) |
| ประเภทขาออก: | Fixed |
| การกำหนดค่าเอาท์พุท: | Positive |
| ชื่ออื่น: | NJM#2846DL3-23-TE1 NJM2846DL2-23-TE1 NJM2846DL223TE1TR NJM2846DL223TE1TR-ND NJM2846DL3-23-TE1TR NJM2846DL323TE1#TR-ND NJM2846DL323TE1TR NJM2846DL323TE1TR-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนหน่วยงานกำกับดูแล: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 2.3V 800mA TO-252-5 |
| ปัจจุบัน - เงียบ (Iq): | 600µA |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท: | 800mA |
| คุณลักษณะการควบคุม: | Enable |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NJM2846DL3-23-TE1
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS