NE2D_RGB_V90F6.0_2M พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NE2D_RGB_V90F6.0_2M เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NE2D_RGB_V90F6.0_2M ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NE2D_RGB_V90F6.0_2M ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NE2D_RGB_V90F6.0_2M
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NE2D_RGB_V90F6.0_2M
- ผู้ผลิต:
- ams
- ลักษณะ:
- IMAGE SENSOR 250HX250V 2M CABLE
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29589 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.8 V ~ 2.4 V |
| ชนิด: | - |
| ชุด: | NanEye |
| ขนาดพิกเซล: | 3µm x 3µm |
| ชื่ออื่น: | 301170006 NE2D_RGB_FOV90F6.0_2 NE2D_RGB_FOV90F6.0_2-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 60°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| เฟรมต่อวินาที: | 55 |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Image Sensor 250H x 250V 3µm x 3µm |
| อาร์เรย์พิกเซลที่ใช้งานอยู่: | 250H x 250V |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NE2D_RGB_V90F6.0_2M
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
NE2D_RGB_V90F6_LED | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V LED RING | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V120F2.8_SG | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V NO CABLE | การสอบสวน |
|
NE2D_ST_RGB_V90F2.7_ | ams | NANEYE 2D SENSOR | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V120F4.0_2M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_NBF6.0_2M | ams | NE2D_RGB_FOV90F6.0_NB_2M FT SE | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V90F4_LED | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V LED RING | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V90F2.7_2M | ams | NE2D_RGB_FOV90_F2.7_1.78MSH FT S | การสอบสวน |
|
NE2D_ST_RGB_V90F4.0_ | ams | NANEYE 2D SENSOR | การสอบสวน |
 |
NE2D_RGB_V90F6.0_3M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3M CABLE | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V90F2.7_SGA | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V120F2.8_2M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V90F2.7_LED | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V LED RING | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V90F4.0_2M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 2M CABLE | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V160F2.4_LE | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V LED RING | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V160F2.4_2M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V120F2.8_LE | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V LED RING | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V90F4.0_3M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3M CABLE | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V160F2.4_SG | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V NO CABLE | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V120F4.0_3M | ams | NE2D_RGB_FOV120_F4.0_3M FT SE | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V90F6.0_SGA | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V NO CABLE | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง