NE2D_CHIP_RGB_SGA พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NE2D_CHIP_RGB_SGA เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NE2D_CHIP_RGB_SGA ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NE2D_CHIP_RGB_SGA ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NE2D_CHIP_RGB_SGA
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NE2D_CHIP_RGB_SGA
- ผู้ผลิต:
- ams
- ลักษณะ:
- NANEYE 2D SENSOR
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 45154 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- NE2D_CHIP_RGB_SGA.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | - |
| ชนิด: | CMOS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ชุด: | NanEye |
| ขนาดพิกเซล: | 3µm x 3µm |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | - |
| ชื่ออื่น: | 301190003 301190010 301190021 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | CMOS Image Sensor 3µm x 3µm |
| อาร์เรย์พิกเซลที่ใช้งานอยู่: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NE2D_CHIP_RGB_SGA
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
NE2D_RGB_F2.8_FOV120 | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V NO CABLE | การสอบสวน |
 |
NE2D_RGB_FOV120_F4.0 | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_NBF6.0_2M | ams | NE2D_RGB_FOV90F6.0_NB_2M FT SE | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_F6.0_CLS2M | ams | NE2D_RGB_FOV90_F6.0 CLOSERF FT S | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_FOV90F4.0_N | ams | NE2D_RGB_FOV90F4.0_FT SE | การสอบสวน |
|
NE2D_B&W_V90F2.7_SGA | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | การสอบสวน |
|
NE2D_B&W_V90F2.7_2M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 2M CABLE | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_FOV90_F2.7_ | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V120F2.8_2M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | การสอบสวน |
|
NE2D_FIB_RGB_FOV90 | ams | NE_FIBER_OPTIC_BOX_DEMO_ENDOSCOP | การสอบสวน |
|
NE2D_B&W_V160F2.4_SG | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | การสอบสวน |
|
NE2D_CHIP_B&W_SGA | ams | NANEYE 2D SENSOR | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_V120F2.8_LE | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V LED RING | การสอบสวน |
|
NE2D_B&W_V90F6.0_3M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3M CABLE | การสอบสวน |
|
NE2D_B&W_V120F2.8_SG | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | การสอบสวน |
|
NE2D_B&W_V90F6.0_SGA | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | การสอบสวน |
|
NE2D_BW_V90F2.7_NB2M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 2M CABLE | การสอบสวน |
|
NE2D_B&W_V120F2.8_2M | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V 3UMX3UM | การสอบสวน |
|
NE2D_B&W_V90F4.0_SGA | ams | IMAGE SENSOR 250HX250V NO CABLE | การสอบสวน |
|
NE2D_RGB_FOV90F4.0_NP_1.05MRCSPF | ams | NE2D_RGB_FOV90F4.0_NP_1.05MRCSPF | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร