NCV47711PDAJR2G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NCV47711PDAJR2G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NCV47711PDAJR2G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NCV47711PDAJR2G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NCV47711PDAJR2G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NCV47711PDAJR2G
- ลักษณะ:
- IC REG LIN POS ADJ 350MA 8SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 38654 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- NCV47711PDAJR2G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันตก (สูงสุด): | 0.5V @ 150mA |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (ต่ำสุด / คงที่): | 5V |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด): | 20V |
| แรงดันไฟฟ้า - อินพุต (สูงสุด): | 40V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SOIC-EP |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100 |
| คุณสมบัติการป้องกัน: | Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| PSRR: | 70dB (100Hz) |
| ประเภทขาออก: | Adjustable |
| การกำหนดค่าเอาท์พุท: | Positive |
| ชื่ออื่น: | NCV47711PDAJR2G-ND NCV47711PDAJR2GOSTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C |
| จำนวนหน่วยงานกำกับดูแล: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2 (1 Year) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 25 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Linear Voltage Regulator IC Positive Adjustable 1 Output 5 V ~ 20 V 350mA 8-SOIC-EP |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | 50mA |
| ปัจจุบัน - เงียบ (Iq): | 230µA |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท: | 350mA |
| คุณลักษณะการควบคุม: | Enable |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | NCV47711 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NCV47711PDAJR2G
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย