NCR100W-12LX พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NCR100W-12LX เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NCR100W-12LX ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NCR100W-12LX ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NCR100W-12LX
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NCR100W-12LX
- ผู้ผลิต:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- ลักษณะ:
- NCR100W-12L/SC-73/REEL 7" Q1/T
- ปริมาณสต็อค:
- 27436 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- NCR100W-12LX.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด): | 1.7V |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง: | 1kV |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด): | 800mV |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SC-73 |
| ชุด: | - |
| ประเภท SCR: | Sensitive Gate |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-261-4, TO-261AA |
| ชื่ออื่น: | 934068972115 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 125°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | SCR 1kV 1.1A Sensitive Gate Surface Mount SC-73 |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด): | 1.1A |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด): | 800mA |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด): | 1mA |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM): | 11A, 12.1A |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด): | 3mA |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด): | 50µA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NCR100W-12LX
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น