NCP133AMXADJTCG พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NCP133AMXADJTCG เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NCP133AMXADJTCG ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NCP133AMXADJTCG ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NCP133AMXADJTCG
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NCP133AMXADJTCG
- ลักษณะ:
- IC REG LIN POS ADJ 500MA 6XDFN
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 55533 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- NCP133AMXADJTCG.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันตก (สูงสุด): | 0.25V @ 500mA |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (ต่ำสุด / คงที่): | 0.8V |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด): | 3.6V |
| แรงดันไฟฟ้า - อินพุต (สูงสุด): | 5.5V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 6-XDFN (1.2x1.2) |
| ชุด: | - |
| คุณสมบัติการป้องกัน: | Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO) |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 6-XFDFN Exposed Pad |
| PSRR: | 80dB ~ 70dB (1kHz) |
| ประเภทขาออก: | Adjustable |
| การกำหนดค่าเอาท์พุท: | Positive |
| ชื่ออื่น: | NCP133AMXADJTCGOSCT |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนหน่วยงานกำกับดูแล: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 4 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Linear Voltage Regulator IC Positive Adjustable 1 Output 0.8 V ~ 3.6 V 500mA 6-XDFN (1.2x1.2) |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท: | 500mA |
| คุณลักษณะการควบคุม: | Enable |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NCP133AMXADJTCG
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด