NC7SP32P5X พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ NC7SP32P5X เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ NC7SP32P5X ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NC7SP32P5X ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
NC7SP32P5X
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- NC7SP32P5X
- ลักษณะ:
- IC GATE OR 1CH 2-INP SC70-5
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 56034 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- NC7SP32P5X.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 0.9 V ~ 3.6 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SC-70-5 |
| ชุด: | 7SP |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| ชื่ออื่น: | NC7SP32P5X-ND NC7SP32P5XTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนปัจจัยการผลิต: | 2 |
| จำนวนแผงวงจร: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| แม็กซ์ล่าช้าในการกระจาย @ V แม็กซ์ CL: | 7ns @ 3.3V, 30pF |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 9 Weeks |
| ประเภทตรรกะ: | OR Gate |
| ระดับตรรกะ - ต่ำ: | 0.7 V ~ 0.9 V |
| ระดับตรรกะ - สูง: | 1.6 V ~ 2.1 V |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | OR Gate IC 1 Channel SC-70-5 |
| ปัจจุบัน - Quiescent (สูงสุด): | 900nA |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน: | 2.6mA, 2.6mA |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | 7SP32 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NC7SP32P5X
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น