MU10K00/10K00BQ พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MU10K00/10K00BQ เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MU10K00/10K00BQ ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MU10K00/10K00BQ ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MU10K00/10K00BQ
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MU10K00/10K00BQ
- ผู้ผลิต:
- Vishay Precision Group
- ลักษณะ:
- MU10K00/10K00BQ
- ปริมาณสต็อค:
- 59756 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.MU10K00/10K00BQ.pdf2.MU10K00/10K00BQ.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±0.1% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | ±5ppm/°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SMD |
| ขนาด / มิติ: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| ชุด: | MU |
| ต้านทานอัตราส่วน-ดริฟท์: | ±5 ppm/°C |
| อัตราส่วนการจับคู่ตัวต้านทาน: | ±0.02% |
| ต้านทาน (โอห์ม): | 10k, 10k |
| อำนาจต่อธาตุ: | 50mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 1210 (3225 Metric), J-Lead |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -65°C ~ 150°C |
| จำนวนตัวต้านทาน: | 2 |
| จำนวนพิน: | 3 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.071" (1.80mm) |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 10k, 10k Ohm ±0.1% 50mW Power Per Element Voltage Divider Resistor Network/Array ±5ppm/°C 1210 (3225 Metric), J-Lead |
| ประเภทแผงวงจร: | Voltage Divider |
| การประยุกต์ใช้งาน: | Voltage Divider (TCR Matched) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MU10K00/10K00BQ
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย