MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR
- ผู้ผลิต:
- Micron Technology
- ลักษณะ:
- IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
- ปริมาณสต็อค:
- 20597 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.1V |
| เทคโนโลยี: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| ชื่ออื่น: | MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR-ND MT53D512M64D4BP-046WT:ETR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -30°C ~ 85°C (TC) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 32Gb (512M x 64) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ: | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ: | DRAM |
| นำสถานะอิสระ: | Lead free |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1866MHz |
| ความถี่นาฬิกา: | 1866MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU