MT48LC16M8A2BB-75 IT:G TR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MT48LC16M8A2BB-75 IT:G TR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MT48LC16M8A2BB-75 IT:G TR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MT48LC16M8A2BB-75 IT:G TR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MT48LC16M8A2BB-75 IT:G TR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MT48LC16M8A2BB-75 IT:G TR
- ผู้ผลิต:
- Micron Technology
- ลักษณะ:
- IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 35165 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MT48LC16M8A2BB-75 IT:G TR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 60-FBGA (8x16) |
| มาตรฐาน: | Volatile |
| ซอฟต์แวร์: | 128Mb (16M x 8) |
| สไตล์เชลล์: | 3 V ~ 3.6 V |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 133MHz |
| โพลาไรซ์: | 60-FBGA |
| แยกขาออก: | DRAM |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2 (1 Year) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | MT48LC16M8A2BB-75 IT:G TR |
| อินเตอร์เฟซ: | Parallel |
| ลักษณะ: | IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MT48LC16M8A2BB-75 IT:G TR
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด