MT40A512M16LY-062E IT:E พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MT40A512M16LY-062E IT:E เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MT40A512M16LY-062E IT:E ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MT40A512M16LY-062E IT:E ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MT40A512M16LY-062E IT:E
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MT40A512M16LY-062E IT:E
- ผู้ผลิต:
- Micron Technology
- ลักษณะ:
- IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ
- ปริมาณสต็อค:
- 36642 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MT40A512M16LY-062E IT:E.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.14 V ~ 1.26 V |
| เทคโนโลยี: | SDRAM - DDR4 |
| ชุด: | - |
| ชื่ออื่น: | MT40A512M16LY-062E IT:E-ND MT40A512M16LY-062EIT:E |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 8Gb (512M x 16) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ: | Parallel |
| รูปแบบหน่วยความจำ: | DRAM |
| นำสถานะอิสระ: | Lead free |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (512M x 16) Parallel 1.6GHz |
| ความถี่นาฬิกา: | 1.6GHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MT40A512M16LY-062E IT:E
ข่าว Latest
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์