MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR
- ผู้ผลิต:
- Micron Technology
- ลักษณะ:
- IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ
- ปริมาณสต็อค:
- 39970 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.5 V ~ 3.6 V |
| เทคโนโลยี: | FLASH - NAND |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| ชื่ออื่น: | MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR-ND MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:ATR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Non-Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 256Gb (32G x 8) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ: | Parallel |
| รูปแบบหน่วยความจำ: | FLASH |
| นำสถานะอิสระ: | Lead free |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | FLASH - NAND Memory IC 256Gb (32G x 8) Parallel 333MHz |
| ความถี่นาฬิกา: | 333MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS