MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR
- ผู้ผลิต:
- Micron Technology
- ลักษณะ:
- IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2
- ปริมาณสต็อค:
- 44882 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า: | 8ms, 2.8ms |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| เทคโนโลยี: | FLASH - NOR |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-SOP2 |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100 |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| ชื่ออื่น: | MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR-ND MT25QL128ABB8ESF-0AUTTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Non-Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 128Mb (16M x 8) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ: | SPI |
| รูปแบบหน่วยความจำ: | FLASH |
| นำสถานะอิสระ: | Lead free |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | FLASH - NOR Memory IC 128Mb (16M x 8) SPI 133MHz 16-SOP2 |
| ความถี่นาฬิกา: | 133MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MT25QL128ABB8ESF-0AUT TR
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU