MSR1-0R05F1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MSR1-0R05F1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MSR1-0R05F1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MSR1-0R05F1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MSR1-0R05F1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MSR1-0R05F1
- ผู้ผลิต:
- Riedon
- ลักษณะ:
- RES 0.05 OHM 1W 1% RADIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 51645 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.MSR1-0R05F1.pdf2.MSR1-0R05F1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±1% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | ±20ppm/°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.449" L x 0.067" W (11.40mm x 1.70mm) |
| ชุด: | MSR |
| โหมดแผง: | 50 mOhms |
| เพาเวอร์ (วัตต์): | 1W |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial |
| ชื่ออื่น: | 696-1635 MSR-1 0.050 OHM 1% MSR-1-0.050F MSR-1-0.050F-ND MSR1-0R05F MSR1-0R05F1-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -65°C ~ 275°C |
| จำนวนการยกเลิก: | 2 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.299" (7.60mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Current Sense |
| อัตราความล้มเหลว: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 50 mOhms ±1% 1W Through Hole Resistor Radial Current Sense Metal Element |
| ส่วนประกอบ: | Metal Element |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MSR1-0R05F1
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
MSR1-0R04F1 | Riedon | RES 0.04 OHM 1W 1% RADIAL | การสอบสวน |
 |
MSR1560G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2 | การสอบสวน |
|
MSR1-0R1F1 | Riedon | RES 0.1 OHM 1W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR1-0R02F1 | Riedon | RES 0.02 OHM 1W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR1-0R01F1 | Riedon | RES 0.01 OHM 1W 1% RADIAL | การสอบสวน |
 |
MSR3-0R04F1 | Riedon | RES 0.04 OHM 3W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR1560 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2 | การสอบสวน |
|
MSR3-0R05F1 | Riedon | RES 0.05 OHM 3W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR3-0R03F1 | Riedon | RES 0.03 OHM 3W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR1-0R005F1 | Riedon | RES 0.005 OHM 1W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR3-0R01F1 | Riedon | RES 0.01 OHM 3W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR1-0R025F1 | Riedon | RES 0.025 OHM 1W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR1-0R07F1 | Riedon | RES 0.07 OHM 1W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR3-0R015F1 | Riedon | RES 0.015 OHM 3W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR3-0R005F1 | Riedon | RES 0.005 OHM 3W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR1-0R03F1 | Riedon | RES 0.03 OHM 1W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR3-0R025F1 | Riedon | RES 0.025 OHM 3W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR1-0R08F1 | Riedon | RES 0.08 OHM 1W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR1-0R015F1 | Riedon | RES 0.015 OHM 1W 1% RADIAL | การสอบสวน |
|
MSR3-0R02F1 | Riedon | RES 0.02 OHM 3W 1% RADIAL | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด