MSDT100-16 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MSDT100-16 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MSDT100-16 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MSDT100-16 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MSDT100-16
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MSDT100-16
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- PWR MOD THYRISTOR 1600V 100V SM4
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 31609 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MSDT100-16.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง: | 1.6kV |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด): | 3V |
| โครงสร้าง: | Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | M4 Module |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| จำนวนเตอร์ SCR, ไดโอด: | 1 SCR, 6 Diodes |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | SCR Module 1.6kV Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes Chassis Mount M4 Module |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด): | 100A |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM): | 1200A @ 50Hz |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MSDT100-16
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
MSDM200-16 | Microsemi | POWER MOD RECT BRIDGE 3PH M3-1 | การสอบสวน |
 |
MSDM100-18 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1800V 100A M2-1 | การสอบสวน |
|
MSDM150-08 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 800V 150A M3-1 | การสอบสวน |
|
MSDM150-12 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1200V 150A M3-1 | การสอบสวน |
|
MSDM75-08 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 800V 75A M2-1 | การสอบสวน |
 |
MSDM75-16 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1600V 75A M2-1 | การสอบสวน |
|
MSDT75-16 | Microsemi | PWR MOD THYRISTOR 1600V 75V SM4 | การสอบสวน |
|
MSDM150-16 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1600V 150A M3-1 | การสอบสวน |
|
MSDM200-08 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 800V 200A M3-1 | การสอบสวน |
|
MSDM75-18 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1800V 75A M2-1 | การสอบสวน |
|
MSDM50-08 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 800V 50A M2-1 | การสอบสวน |
|
MSDM50-16 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1600V 50A M2-1 | การสอบสวน |
|
MSDM50-12 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1200V 50A M2-1 | การสอบสวน |
|
MSDM50-18 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1800V 50A M2-1 | การสอบสวน |
|
MSDM150-18 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1800V 150A M3-1 | การสอบสวน |
|
MSDT200-16 | Microsemi | PWR MOD THYRISTOR 1600V 200V SM4 | การสอบสวน |
 |
MSDT150-16 | Microsemi | POWER MOD BRIDGE THY 3PH M5 | การสอบสวน |
|
MSDM75-12 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1200V 75A M2-1 | การสอบสวน |
|
MSDM200-18 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1800V 200A M3-1 | การสอบสวน |
|
MSDM200-12 | Microsemi | MOD BRIDGE 3PH 1200V 200A M3-1 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง