MSASC25W100K พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MSASC25W100K เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MSASC25W100K ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MSASC25W100K ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MSASC25W100K
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MSASC25W100K
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- DIODE SCHOTTKY 100V 25A 2THINKEY
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 52854 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MSASC25W100K.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 910mV @ 25A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 100V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 2-ThinKey™ |
| ความเร็ว: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ประเภทไดโอด: | Schottky |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Schottky 100V 25A Surface Mount 2-ThinKey™ |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500µA @ 100V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 25A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MSASC25W100K
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
MSAD200-18 | Microsemi | DIODE MODULE 1.8KV 200A D2 | การสอบสวน |
|
MSAD200-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 200A D2 | การสอบสวน |
|
MSAD60-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 60A D1 | การสอบสวน |
|
MSAD70-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 70A D1 | การสอบสวน |
|
MSAD165-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 165A D2 | การสอบสวน |
|
MSAD70-18 | Microsemi | DIODE MODULE 1.8KV 70A D1 | การสอบสวน |
|
MSAD36-18 | Microsemi | DIODE MODULE 1.8KV 36A D1 | การสอบสวน |
|
MSAD60-16 | Microsemi | DIODE MODULE 1.6KV 60A D1 | การสอบสวน |
|
MSAD165-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 165A D2 | การสอบสวน |
|
MSAD36-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 36A D1 | การสอบสวน |
|
MSAD70-16 | Microsemi | DIODE MODULE 1.6KV 70A D1 | การสอบสวน |
|
MSAD36-16 | Microsemi | DIODE MODULE 1.6KV 36A D1 | การสอบสวน |
|
MSAD200-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 200A D2 | การสอบสวน |
|
MSAD36-08 | Microsemi | DIODE MODULE 800V 36A D1 | การสอบสวน |
|
MSAD60-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 60A D1 | การสอบสวน |
 |
MSAD200-16 | Microsemi | DIODE MODULE 1.6KV 200A SD2 | การสอบสวน |
|
MSAD165-18 | Microsemi | DIODE MODULE 1.8KV 165A D2 | การสอบสวน |
|
MSAD70-12 | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 70A D1 | การสอบสวน |
|
MSAD120-18 | Microsemi | DIODE MODULE 1.8KV 120A D1 | การสอบสวน |
|
MSAD60-18 | Microsemi | DIODE MODULE 1.8KV 60A D1 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง