MS2554A พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MS2554A เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MS2554A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MS2554A ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MS2554A
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MS2554A
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- RF POWER TRANSISTOR
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 39333 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MS2554A.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 65V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | NPN |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | M216 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 600W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | M216 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 200°C |
| เสียงรบกวนรูป (เดซิเบล Typ @ F): | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ได้รับ: | 6.2dB |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 1.025GHz ~ 1.15GHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | RF Transistor NPN 65V 17.8A 1.025GHz ~ 1.15GHz 600W Chassis Mount M216 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 15 @ 1A, 5V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 17.8A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MS2554A
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
MS2473 | Microsemi | TRANS RF BIPO 2300W 46A M112 | การสอบสวน |
|
MS2870 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
MS2472 | Microsemi | TRANS RF BIPO 1350W 40A M112 | การสอบสวน |
|
MS2562 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
MS2553C | Microsemi | TRANS RF BIPO 175W 4A M220 | การสอบสวน |
|
MS2552 | Microsemi | TRANS RF BIPO 880W 24A M112 | การสอบสวน |
|
MS2586 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
MS2502A | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
MS2554 | Microsemi | TRANS RF BIPO 600W 17.8A SO42 | การสอบสวน |
|
MS2477 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
MS2587 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
MS2502W | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
MS2588 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
MS2506 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
 |
MS2N4931 | Microsemi | TRANS PNP TO-39 | การสอบสวน |
|
MS2575A | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
MS2563 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
MS2874 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
MS2473A | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
MS2608 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่