MPQ2735GG-AEC1-Z พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MPQ2735GG-AEC1-Z เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MPQ2735GG-AEC1-Z ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MPQ2735GG-AEC1-Z ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MPQ2735GG-AEC1-Z
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MPQ2735GG-AEC1-Z
- ผู้ผลิต:
- MPS (Monolithic Power Systems)
- ลักษณะ:
- AUTOMOTIVE GEADE, LOW-VOLTAGE 0.
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 59223 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MPQ2735GG-AEC1-Z.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว (V +): | 1.65 V ~ 5.5 V |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, Dual (V ±): | - |
| เวลาสแตนด์บาย (Ton, Toff) (สูงสุด): | 24ns, 20ns (Typ) |
| วงจรสวิตช์: | SPDT |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 10-QFN (2x2) |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 10-VFQFN |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | - |
| ความต้านทานต่อสภาพ (สูงสุด): | 450 mOhm |
| จำนวนแผงวงจร: | 2 |
| วงจร Multiplexer / Demultiplexer: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 2 Circuit IC Switch 450 mOhm 10-QFN (2x2) |
| ปัจจุบัน - การรั่วไหล (IS (ปิด)) (สูงสุด): | - |
| crosstalk: | -70dB @ 100kHz |
| Charge Injection: | - |
| การจับคู่ช่องกับช่อง (ΔRon): | 10 mOhm (Typ) |
| ช่อง Capacitance (CS (ปิด), CD (ปิด)): | 6pF |
| -3dB แบนด์วิดธ์: | 50MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MPQ2735GG-AEC1-Z
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด