ML610Q431-NNNTCZ03A พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ML610Q431-NNNTCZ03A เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ML610Q431-NNNTCZ03A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ML610Q431-NNNTCZ03A ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ML610Q431-NNNTCZ03A
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ML610Q431-NNNTCZ03A
- ผู้ผลิต:
- LAPIS Semiconductor
- ลักษณะ:
- IC MCU 8BIT 64KB FLASH 144LQFP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 28669 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ML610Q431-NNNTCZ03A.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | 1.1 V ~ 3.6 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 144-LQFP (20x20) |
| ความเร็ว: | 4.2MHz |
| ชุด: | ML610400 |
| RAM ขนาด: | 3K x 8 |
| ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม: | FLASH |
| ขนาดหน่วยความจำโปรแกรม: | 64KB (32K x 16) |
| อุปกรณ์ต่อพ่วง: | LCD, Melody Driver, POR, PWM, WDT |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 144-LQFP |
| ชื่ออื่น: | ML610Q431-NNNTCZ03A7 ML610Q431-NNNTCZ03A7-ND ML610Q431-NNNTCZ0AA ML610Q431-NNNTCZ0AA-ND ML610Q431-NNNTCZ0ARL ML610Q431NNNTCZ0AA |
| ประเภท oscillator: | Internal |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -20°C ~ 70°C (TA) |
| จำนวน I / O: | 22 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ขนาด EEPROM: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | nX-U8/100 ML610400 Microcontroller IC 8-Bit 4.2MHz 64KB (32K x 16) FLASH 144-LQFP (20x20) |
| แปลงข้อมูล: | A/D 2x12b, 2x24b |
| ขนาดหลัก: | 8-Bit |
| หน่วยประมวลผลหลัก: | nX-U8/100 |
| การเชื่อมต่อ: | I²C, SSP, UART/USART |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | ML610Q43* |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ML610Q431-NNNTCZ03A
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด