MKS1XTIN-10 DC110 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MKS1XTIN-10 DC110 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MKS1XTIN-10 DC110 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MKS1XTIN-10 DC110 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MKS1XTIN-10 DC110
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MKS1XTIN-10 DC110
- ผู้ผลิต:
- Omron Automation & Safety
- ลักษณะ:
- RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 110V
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 28197 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MKS1XTIN-10 DC110.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เปิดแรงดัน (สูงสุด): | 88 VDC |
| ปิดแรงดัน (ต่ำสุด): | 16.5 VDC |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | Plug In |
| แรงดันไฟฟ้าสลับ: | 220VDC - Max |
| ชุด: | MKS-X |
| เวลาปล่อย: | 20ms |
| ประเภท Relay: | General Purpose |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| ชื่ออื่น: | MKS1XTIN-10 DC110-ND MKS1XTIN-10DC110 MKS1XTIN10DC110 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -25°C ~ 60°C |
| เวลาทำงาน: | 30ms |
| ประเภทการติดตั้ง: | Socketable |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 46 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | LED Indicator, Test Button |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 110VDC Coil Socketable |
| พิกัด (ปัจจุบัน): | 10A |
| วัสดุของ: | Silver Tin Indium (AgSnIn) |
| แบบฟอร์มการติดต่อ: | SPST-NO (1 Form A) |
| ขดลวดแรงดันไฟฟ้า: | 110VDC |
| ประเภทคอยล์: | Non Latching |
| ความต้านทานของคอยล์: | 8.06 kOhms |
| ขดลวดไฟฟ้า: | 1.5 W |
| คอยล์ปัจจุบัน: | 13.6mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MKS1XTIN-10 DC110
ข่าว Latest
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC