MKP386M433125JT7 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MKP386M433125JT7 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MKP386M433125JT7 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MKP386M433125JT7 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MKP386M433125JT7
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MKP386M433125JT7
- ผู้ผลิต:
- Angstrohm / Vishay
- ลักษณะ:
- CAP FILM 0.33UF 1.25KVDC SCREW
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29815 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.MKP386M433125JT7.pdf2.MKP386M433125JT7.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - DC: | 550V |
| ความอดทน: | 0.33µF |
| การสิ้นสุด: | Screw Terminals |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | - |
| ขนาด / มิติ: | 1.319" L x 0.866" W (33.50mm x 22.00mm) |
| ชุด: | MKP386M |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| Ripple Current - ความถี่ต่ำ: | Snubber |
| โพลาไรซ์: | Rectangular Box |
| ชื่ออื่น: | 386M433125JT7 BC3139 MKP386M433125JT7-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 105°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | MKP386M433125JT7 |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | 16 mOhm |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 1.201" (30.50mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Low ESR |
| ขยายคำอธิบาย: | 0.33µF ±5% Film Capacitor 550V 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±5% |
| เส้นผ่าศูนย์กลางอิเล็กทริก: | Polypropylene (PP), Metallized |
| ลักษณะ: | CAP FILM 0.33UF 1.25KVDC SCREW |
| ปัจจุบัน - การรั่วไหล: | 1250V (1.25kV) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MKP386M433125JT7
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?