MCP6567-E/MS พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MCP6567-E/MS เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MCP6567-E/MS ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MCP6567-E/MS ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MCP6567-E/MS
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MCP6567-E/MS
- ผู้ผลิต:
- Micrel / Microchip Technology
- ลักษณะ:
- IC COMP DUAL 1.8V OD 8-MSOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 56099 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.MCP6567-E/MS.pdf2.MCP6567-E/MS.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว / คู่ (±): | 1.8 V ~ 5.5 V |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท (สูงสุด): | 10mV @ 5.5V |
| ชนิด: | General Purpose |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-MSOP |
| ชุด: | - |
| ล่าช้าในการกระจาย (สูงสุด): | 80ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| ประเภทขาออก: | CMOS, Open-Drain |
| ชื่ออื่น: | MCP6567EMS |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนขององค์ประกอบ: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 9 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| hysteresis: | 5mV |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Comparator General Purpose CMOS, Open-Drain 8-MSOP |
| ปัจจุบัน - Quiescent (สูงสุด): | 130µA |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (ประเภท): | 50mA |
| ปัจจุบัน - อินพุตอคติ (สูงสุด): | 1pA @ 5.5V |
| CMRR, PSRR (ประเภท): | 66dB CMRR, 70dB PSRR |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | MCP6567 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MCP6567-E/MS
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง