MCP42010T-I/ST พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MCP42010T-I/ST เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MCP42010T-I/ST ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MCP42010T-I/ST ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MCP42010T-I/ST
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MCP42010T-I/ST
- ผู้ผลิต:
- Micrel / Microchip Technology
- ลักษณะ:
- IC POT DGTL 10K 2CH SPI 14-TSSOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 41496 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.MCP42010T-I/ST.pdf2.MCP42010T-I/ST.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| ความอดทน: | ±20% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (ชนิด): | 800 ppm/°C |
| เรียวเล็ก: | Linear |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 14-TSSOP |
| ชุด: | - |
| ความต้านทาน - Wiper (Ohms) (Typ): | 73 |
| ต้านทาน (โอห์ม): | 10k |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| ชื่ออื่น: | MCP42010T-I/STCT |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนก๊อก: | 256 |
| จำนวนแผงวงจร: | 2 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Volatile |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 13 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| อินเตอร์เฟซ: | SPI |
| คุณลักษณะเด่น: | Cascade Pin |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Digital Potentiometer 10k Ohm 2 Circuit 256 Taps SPI Interface 14-TSSOP |
| องค์ประกอบ: | Potentiometer |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MCP42010T-I/ST
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น