MC56F8335VFGE พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MC56F8335VFGE เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MC56F8335VFGE ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MC56F8335VFGE ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MC56F8335VFGE
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MC56F8335VFGE
- ผู้ผลิต:
- NXP Semiconductors / Freescale
- ลักษณะ:
- IC MCU 16BIT 64KB FLASH 128LQFP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 59629 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.MC56F8335VFGE.pdf2.MC56F8335VFGE.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | 2.25 V ~ 3.6 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 128-LQFP (14x20) |
| ความเร็ว: | 60MHz |
| ชุด: | 56F8xxx |
| RAM ขนาด: | 6K x 16 |
| ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม: | FLASH |
| ขนาดหน่วยความจำโปรแกรม: | 64KB (32K x 16) |
| อุปกรณ์ต่อพ่วง: | POR, PWM, Temp Sensor, WDT |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 128-LQFP |
| ชื่ออื่น: | 935318991557 |
| ประเภท oscillator: | External |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| จำนวน I / O: | 49 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ขนาด EEPROM: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 56800E 56F8xxx Microcontroller IC 16-Bit 60MHz 64KB (32K x 16) FLASH 128-LQFP (14x20) |
| แปลงข้อมูล: | A/D 16x12b |
| ขนาดหลัก: | 16-Bit |
| หน่วยประมวลผลหลัก: | 56800E |
| การเชื่อมต่อ: | CANbus, EBI/EMI, SCI, SPI |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | MC56F8335 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MC56F8335VFGE
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่