MB9BF506NBPMC-G-UNE2 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MB9BF506NBPMC-G-UNE2 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MB9BF506NBPMC-G-UNE2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MB9BF506NBPMC-G-UNE2 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MB9BF506NBPMC-G-UNE2
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MB9BF506NBPMC-G-UNE2
- ผู้ผลิต:
- Cypress Semiconductor
- ลักษณะ:
- IC MCU 32BIT 512KB FLASH
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 28816 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MB9BF506NBPMC-G-UNE2.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | 2.7 V ~ 5.5 V |
| ความเร็ว: | 80MHz |
| ชุด: | FM3 MB9B500B |
| RAM ขนาด: | 64K x 8 |
| ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม: | FLASH |
| ขนาดหน่วยความจำโปรแกรม: | 512KB (512K x 8) |
| อุปกรณ์ต่อพ่วง: | DMA, LVD, POR, PWM, WDT |
| ชื่ออื่น: | CY9BF506NBPMC-G-UNE2 |
| ประเภท oscillator: | Internal |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| จำนวน I / O: | 80 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 24 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ขนาด EEPROM: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | ARM® Cortex®-M3 FM3 MB9B500B Microcontroller IC 32-Bit 80MHz 512KB (512K x 8) FLASH |
| แปลงข้อมูล: | A/D 16x12b |
| ขนาดหลัก: | 32-Bit |
| หน่วยประมวลผลหลัก: | ARM® Cortex®-M3 |
| การเชื่อมต่อ: | CANbus, CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, UART/USART, USB |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MB9BF506NBPMC-G-UNE2
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU