MB91F469GBPB-GS-K6 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MB91F469GBPB-GS-K6 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MB91F469GBPB-GS-K6 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MB91F469GBPB-GS-K6 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MB91F469GBPB-GS-K6
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MB91F469GBPB-GS-K6
- ผู้ผลิต:
- Cypress Semiconductor
- ลักษณะ:
- IC MCU 32BIT 2.112MB FLSH 320BGA
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 55738 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | 3 V ~ 5.5 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 320-BGA (27x27) |
| ความเร็ว: | 100MHz |
| ชุด: | FR MB91460G |
| RAM ขนาด: | 112K x 8 |
| ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม: | FLASH |
| ขนาดหน่วยความจำโปรแกรม: | 2.112MB (2.112M x 8) |
| อุปกรณ์ต่อพ่วง: | DMA, LVD, WDT |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 320-BBGA |
| ชื่ออื่น: | MB91F469GBPB-GS MB91F469GBPB-GS-ND |
| ประเภท oscillator: | External |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| จำนวน I / O: | 205 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ขนาด EEPROM: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | FR60 RISC FR MB91460G Microcontroller IC 32-Bit 100MHz 2.112MB (2.112M x 8) FLASH 320-BGA (27x27) |
| แปลงข้อมูล: | A/D 32x10b |
| ขนาดหลัก: | 32-Bit |
| หน่วยประมวลผลหลัก: | FR60 RISC |
| การเชื่อมต่อ: | CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, UART/USART |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MB91F469GBPB-GS-K6
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด