MB90548GHDSPQR-G-420ERE2 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MB90548GHDSPQR-G-420ERE2 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MB90548GHDSPQR-G-420ERE2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MB90548GHDSPQR-G-420ERE2 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MB90548GHDSPQR-G-420ERE2
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MB90548GHDSPQR-G-420ERE2
- ผู้ผลิต:
- Cypress Semiconductor
- ลักษณะ:
- IC MCU 16BIT 128KB MROM 100QFP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 39957 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MB90548GHDSPQR-G-420ERE2.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | 3.5 V ~ 5.5 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 100-PQFP (20x14) |
| ความเร็ว: | 16MHz |
| ชุด: | F²MC-16LX MB90545G |
| RAM ขนาด: | 4K x 8 |
| ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม: | Mask ROM |
| ขนาดหน่วยความจำโปรแกรม: | 128KB (128K x 8) |
| อุปกรณ์ต่อพ่วง: | POR, WDT |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 100-BQFP |
| ประเภท oscillator: | External |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| จำนวน I / O: | 81 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ขนาด EEPROM: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | F²MC-16LX F²MC-16LX MB90545G Microcontroller IC 16-Bit 16MHz 128KB (128K x 8) Mask ROM 100-PQFP (20x14) |
| แปลงข้อมูล: | A/D 8x8/10b |
| ขนาดหลัก: | 16-Bit |
| หน่วยประมวลผลหลัก: | F²MC-16LX |
| การเชื่อมต่อ: | CANbus, EBI/EMI, SCI, Serial I/O, UART/USART |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MB90548GHDSPQR-G-420ERE2
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง