MB39C031WQN-G-212-JNEFE1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MB39C031WQN-G-212-JNEFE1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MB39C031WQN-G-212-JNEFE1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MB39C031WQN-G-212-JNEFE1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MB39C031WQN-G-212-JNEFE1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MB39C031WQN-G-212-JNEFE1
- ผู้ผลิต:
- Cypress Semiconductor
- ลักษณะ:
- IC REG 3OUT BUCK/LDO 28QFN
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29963 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MB39C031WQN-G-212-JNEFE1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| w / หัวหน้างาน: | No |
| w / ซีเควน: | No |
| w / LED ไดร์เวอร์: | No |
| แรงดันไฟฟ้า / ปัจจุบัน - ออกที่ 3: | 3.3V, 250mA |
| แรงดันไฟฟ้า / ปัจจุบัน - ออก 2: | 1.2V, 600mA |
| แรงดันไฟฟ้า / ปัจจุบัน - ออกที่ 1: | 1.1V, 1.4A |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.5 V ~ 5.5 V |
| โทโพโลยี: | Step-Down (Buck) Synchronous (2), Linear (LDO) (1) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 28-QFN (4x4) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 28-WFQFN Exposed Pad |
| ชื่ออื่น: | CY39C031WQN-G-212-JNEFE1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -30°C ~ 85°C |
| จำนวนขาออก: | 3 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 22 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่ - การสลับ: | 3MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Linear And Switching Voltage Regulator IC 3 Output Step-Down (Buck) Synchronous (2), Linear (LDO) (1) 3MHz 28-QFN (4x4) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MB39C031WQN-G-212-JNEFE1
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS