MAZS2000ML พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MAZS2000ML เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MAZS2000ML ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MAZS2000ML ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MAZS2000ML
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MAZS2000ML
- ผู้ผลิต:
- Panasonic
- ลักษณะ:
- DIODE ZENER 20V 150MW SSMINI2
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 30329 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MAZS2000ML.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 20V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1V @ 10mA |
| ความอดทน: | ±3% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SSMini2-F1 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 150mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SC-79, SOD-523 |
| ชื่ออื่น: | MAZS2000MLCT MAZS200MCT MAZS200MCT-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT): | 80 Ohms |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Zener Diode 20V 150mW ±3% Surface Mount SSMini2-F1 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 50nA @ 15V |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | MAZS20 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MAZS2000ML
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
MAZS2200ML | Panasonic | DIODE ZENER 22V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS1500ML | Panasonic | DIODE ZENER 15V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS200GML | Panasonic | DIODE ZENER 20V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS130GML | Panasonic | DIODE ZENER 13V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS160GML | Panasonic | DIODE ZENER 16V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS180GML | Panasonic | DIODE ZENER 18V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS1600ML | Panasonic | DIODE ZENER 16V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS1800ML | Panasonic | DIODE ZENER 18V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS240GML | Panasonic | DIODE ZENER 24V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS150GML | Panasonic | DIODE ZENER 15V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS220GML | Panasonic | DIODE ZENER 22V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS270GML | Panasonic | DIODE ZENER 27V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS330GML | Panasonic | DIODE ZENER 33V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS1300ML | Panasonic | DIODE ZENER 13V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS3300ML | Panasonic | DIODE ZENER 33V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS1200ML | Panasonic | DIODE ZENER 12V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS2700ML | Panasonic | DIODE ZENER 27V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS3000HL | Panasonic | DIODE ZENER 31V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS2400ML | Panasonic | DIODE ZENER 24V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
|
MAZS120GML | Panasonic | DIODE ZENER 12V 150MW SSMINI2 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย