MAX5495ETE+T พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MAX5495ETE+T เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MAX5495ETE+T ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MAX5495ETE+T ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MAX5495ETE+T
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MAX5495ETE+T
- ผู้ผลิต:
- Maxim Integrated
- ลักษณะ:
- IC DIG POT 10BIT 16TQFN
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 52826 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.MAX5495ETE+T.pdf2.MAX5495ETE+T.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.7 V ~ 5.25 V, ±2.5 V ~ 5.25 V |
| ความอดทน: | ±25% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (ชนิด): | 35 ppm/°C |
| เรียวเล็ก: | Linear |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-TQFN (5x5) |
| ชุด: | - |
| ความต้านทาน - Wiper (Ohms) (Typ): | 50 |
| ต้านทาน (โอห์ม): | 50k |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-WQFN Exposed Pad |
| ชื่ออื่น: | MAX5495ETE+TCT |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนก๊อก: | 1024 |
| จำนวนแผงวงจร: | 2 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Non-Volatile |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| อินเตอร์เฟซ: | SPI |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Digital Potentiometer 50k Ohm 2 Circuit 1024 Taps SPI Interface 16-TQFN (5x5) |
| องค์ประกอบ: | Potentiometer |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MAX5495ETE+T
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น