MAX14435FAWE+ พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MAX14435FAWE+ เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MAX14435FAWE+ ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MAX14435FAWE+ ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MAX14435FAWE+
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MAX14435FAWE+
- ผู้ผลิต:
- Maxim Integrated
- ลักษณะ:
- DGTL ISO 5KV GALVANIC 16SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 25118 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MAX14435FAWE+.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.71 V ~ 5.5 V |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก: | 5000Vrms |
| ชนิด: | CAN, RS422, RS485 |
| เทคโนโลยี: | Capacitive Coupling |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-SOIC |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | RoHS Compliant |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 1.6ns, 1.4ns |
| การบิดเบือนความกว้างของพัลส์ (สูงสุด): | 2ns |
| ความล่าช้าในการกระจาย tpLH / tpHL (สูงสุด): | 9.2ns, 9.4ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนช่อง: | 4 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| กำลังแยก: | No |
| ปัจจัยการผลิต - ด้าน 1 / ด้านข้าง 2: | 3/1 |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | CAN, RS422, RS485 Digital Isolator 5000Vrms 4 Channel 200Mbps 50kV/µs (Typ) CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| อัตราการส่งข้อมูล: | 200Mbps |
| ภูมิคุ้มกันอ่อนแอโหมดทั่วไป (ต่ำสุด): | 50kV/µs (Typ) |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด): | Unidirectional |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MAX14435FAWE+
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด