MA-506 13.8240M-D: ROHS พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MA-506 13.8240M-D: ROHS เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MA-506 13.8240M-D: ROHS ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MA-506 13.8240M-D: ROHS ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MA-506 13.8240M-D: ROHS
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MA-506 13.8240M-D: ROHS
- ผู้ผลิต:
- Epson
- ลักษณะ:
- CRYSTAL SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 53327 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | MHz Crystal |
| ขนาด / มิติ: | 0.500" L x 0.200" W (12.70mm x 5.08mm) |
| ชุด: | MA-506 |
| ความนิยม: | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-SOJ, 3.30mm pitch |
| ชื่ออื่น: | MA-506 13.8240M-D ROHS MA-506 13.8240M-D: ROHS-ND MA-50613.8240M-D:ROHS |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -20°C ~ 70°C |
| โหมดการทำงาน: | Fundamental |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 11 Weeks |
| ความจุโหลด: | 22pF |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.181" (4.60mm) |
| ความอดทนความถี่: | ±50ppm |
| ความเสถียรของความถี่: | ±30ppm |
| ความถี่: | 13.824MHz |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | 50 Ohms |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 13.824MHz ±50ppm Crystal 22pF 50 Ohms 4-SOJ, 3.30mm pitch |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MA-506 13.8240M-D: ROHS
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร