M8340106K1002GCD03 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ M8340106K1002GCD03 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ M8340106K1002GCD03 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ M8340106K1002GCD03 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
M8340106K1002GCD03
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- M8340106K1002GCD03
- ผู้ผลิต:
- Dale / Vishay
- ลักษณะ:
- RES ARRAY 9 RES 10K OHM 10SIP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 38052 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- M8340106K1002GCD03.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±2% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | ±100ppm/°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 10-SIP |
| ขนาด / มิติ: | 0.983" L x 0.098" W (24.97mm x 2.49mm) |
| ชุด: | Military, MIL-PRF-83401/06, RZ060 |
| ต้านทานอัตราส่วน-ดริฟท์: | - |
| อัตราส่วนการจับคู่ตัวต้านทาน: | - |
| ต้านทาน (โอห์ม): | 10k |
| อำนาจต่อธาตุ: | 200mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 10-SIP |
| ชื่ออื่น: | 1135-1073-5 1135-1073-5-MIL |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| จำนวนตัวต้านทาน: | 9 |
| จำนวนพิน: | 10 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 13 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.350" (8.89mm) |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 10k Ohm ±2% 200mW Power Per Element Bussed 9 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 10-SIP |
| ประเภทแผงวงจร: | Bussed |
| การประยุกต์ใช้งาน: | Military |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ M8340106K1002GCD03
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร