LVC06JR750EV พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ LVC06JR750EV เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ LVC06JR750EV ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ LVC06JR750EV ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
LVC06JR750EV
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- LVC06JR750EV
- ผู้ผลิต:
- Ohmite
- ลักษณะ:
- RES 0.75 OHM 5% 1/2W 1206
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 43499 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- LVC06JR750EV.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±5% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | ±200ppm/°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 1206 |
| ขนาด / มิติ: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| ชุด: | LVC |
| โหมดแผง: | 750 mOhms |
| เพาเวอร์ (วัตต์): | 0.5W, 1/2W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 1206 (3216 Metric) |
| ชื่ออื่น: | OHLVC06JR750EV OHLVC06JR750EV-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนการยกเลิก: | 2 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.026" (0.65mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Current Sense, Moisture Resistant |
| อัตราความล้มเหลว: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 750 mOhms ±5% 0.5W, 1/2W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Current Sense, Moisture Resistant Thick Film |
| ส่วนประกอบ: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ LVC06JR750EV
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
LVC06JR330EV | Ohmite | RES 0.33 OHM 5% 1/2W 1206 | การสอบสวน |
|
LVC20FR051EV | Ohmite | RES 0.051 OHM 1% 3/4W 2010 | การสอบสวน |
|
LVC06JR200EV | Ohmite | RES 0.2 OHM 5% 1/2W 1206 | การสอบสวน |
|
LVC20JR051EV | Ohmite | RES 0.051 OHM 5% 3/4W 2010 | การสอบสวน |
|
LVC06JR390EV | Ohmite | RES 0.39 OHM 5% 1/2W 1206 | การสอบสวน |
|
LVC06JR270EV | Ohmite | RES 0.27 OHM 5% 1/2W 1206 | การสอบสวน |
|
LVC06JR180EV | Ohmite | RES 0.18 OHM 5% 1/2W 1206 | การสอบสวน |
|
LVC20JR180EV | Ohmite | RES 0.18 OHM 5% 3/4W 2010 | การสอบสวน |
|
LVC06JR910EV | Ohmite | RES 0.91 OHM 5% 1/2W 1206 | การสอบสวน |
|
LVC06JR500EV | Ohmite | RES 0.5 OHM 5% 1/2W 1206 | การสอบสวน |
|
LVC06JR300EV | Ohmite | RES 0.3 OHM 5% 1/2W 1206 | การสอบสวน |
|
LVC20FR050EV | Ohmite | RES 0.05 OHM 1% 3/4W 2010 | การสอบสวน |
|
LVC06JR820EV | Ohmite | RES 0.82 OHM 5% 1/2W 1206 | การสอบสวน |
|
LVC06JR620EV | Ohmite | RES 0.62 OHM 5% 1/2W 1206 | การสอบสวน |
|
LVC06JR510EV | Ohmite | RES 0.51 OHM 5% 1/2W 1206 | การสอบสวน |
|
LVC20JR033EV | Ohmite | RES 0.033 OHM 5% 3/4W 2010 | การสอบสวน |
|
LVC20JR510EV | Ohmite | RES 0.51 OHM 5% 3/4W 2010 | การสอบสวน |
|
LVC20JR200EV | Ohmite | RES 0.2 OHM 5% 3/4W 2010 | การสอบสวน |
|
LVC06JR470EV | Ohmite | RES 0.47 OHM 5% 1/2W 1206 | การสอบสวน |
|
LVC20FR330EV | Ohmite | RES 0.33 OHM 1% 3/4W 2010 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด