LT1158CSW#TRPBF พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ LT1158CSW#TRPBF เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ LT1158CSW#TRPBF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ LT1158CSW#TRPBF ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
LT1158CSW#TRPBF
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- LT1158CSW#TRPBF
- ผู้ผลิต:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- ลักษณะ:
- IC LDO REG W/SD 5V 16-SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 23018 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 5 V ~ 30 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-SOIC |
| ชุด: | - |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 130ns, 120ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| ชื่ออื่น: | LT1158CSW#TRPBF-ND LT1158CSW#TRPBFTR LT1158CSWTRPBF |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| ความถี่ขาเข้า: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH: | 0.8V, 2V |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Inverting, Non-Inverting |
| แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน): | 56V |
| ประเภทประตู: | N-Channel MOSFET |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน: | Half-Bridge |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Half-Bridge Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 16-SOIC |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink): | 500mA, 500mA |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด): | Synchronous |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | LT1158 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ LT1158CSW#TRPBF
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่