LSF0102QDCURQ1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ LSF0102QDCURQ1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ LSF0102QDCURQ1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ LSF0102QDCURQ1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
LSF0102QDCURQ1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- LSF0102QDCURQ1
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- 2 BIT VOLTAGE REGULATOR
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 35928 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- LSF0102QDCURQ1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - VCCB: | 1.8V ~ 5.5V |
| แรงดันไฟฟ้า - VCCA: | 0.95V ~ 4.5V |
| ประเภทนักแปล: | Voltage Level |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-VSSOP |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width) |
| ประเภทขาออก: | Open Drain, Push-Pull |
| สัญญาณเอาท์พุท: | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนแผงวงจร: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2 (1 Year) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| สัญญาณอินพุต: | - |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Voltage Level Translator Bidirectional 1 Circuit 2 Channel 8-VSSOP |
| อัตราการส่งข้อมูล: | - |
| ช่องต่อวงจร: | 2 |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด): | Bidirectional |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ LSF0102QDCURQ1
ข่าว Latest
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC