LQP03TN2N7B02D พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ LQP03TN2N7B02D เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ LQP03TN2N7B02D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ LQP03TN2N7B02D ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
LQP03TN2N7B02D
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- LQP03TN2N7B02D
- ผู้ผลิต:
- Murata Electronics
- ลักษณะ:
- FIXED IND 2.7NH 500MA 200 MOHM
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 25810 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 0201 (0603 Metric) |
| การใช้: | Unshielded |
| ชนิด: | Thin Film |
| ขนาด / มิติ: | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
| ชุด: | LQP03 |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | 0201 (0603 Metric) |
| ชื่ออื่น: | 490-12986-2 LQP03TN2N7B02 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | LQP03TN2N7B02D |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.013" (0.33mm) |
| ประเภทอุปกรณ์: | 2.7nH |
| ความถี่ - การทดสอบ: | 10GHz |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 200 mOhm Max |
| ขยายคำอธิบาย: | 2.7nH Unshielded Thin Film Inductor 500mA 200 mOhm Max 0201 (0603 Metric) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±0.1nH |
| เส้นผ่าศูนย์กลาง - ไหล่: | 14 @ 500MHz |
| ลักษณะ: | FIXED IND 2.7NH 500MA 200 MOHM |
| ระยะเวลาที่ล่าช้า: | 500MHz |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | - |
| พิกัดกระแส: | 500mA |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | Non-Magnetic |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ LQP03TN2N7B02D
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่