LQM18NN1R2K00D พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ LQM18NN1R2K00D เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ LQM18NN1R2K00D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ LQM18NN1R2K00D ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
LQM18NN1R2K00D
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- LQM18NN1R2K00D
- ผู้ผลิต:
- Murata Electronics
- ลักษณะ:
- FIXED IND 1.2UH 25MA 800 MOHM
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 36441 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- LQM18NN1R2K00D.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | Multilayer |
| ความอดทน: | ±10% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 0603 (1608 Metric) |
| ขนาด / มิติ: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| การป้องกัน: | Shielded |
| ชุด: | LQM18 |
| ความนิยม: | - |
| Q @ ความถี่: | 35 @ 10MHz |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 0603 (1608 Metric) |
| ชื่ออื่น: | 490-6674-2 LQM18NN1R2K00D-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| วัสดุ - คอร์: | Ferrite |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่เหนี่ยวนำ - การทดสอบ: | 10MHz |
| การเหนี่ยวนำ: | 1.2µH |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.035" (0.90mm) |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 65MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 1.2µH Shielded Multilayer Inductor 25mA 800 mOhm Max 0603 (1608 Metric) |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | 800 mOhm Max |
| พิกัดกระแส: | 25mA |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ LQM18NN1R2K00D
ข่าว Latest
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ