LQG15WZ9N1H02D พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ LQG15WZ9N1H02D เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ LQG15WZ9N1H02D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ LQG15WZ9N1H02D ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
LQG15WZ9N1H02D
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- LQG15WZ9N1H02D
- ผู้ผลิต:
- Murata Electronics
- ลักษณะ:
- FIXED IND 9.1NH 550MA 170 MOHM
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 55153 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.LQG15WZ9N1H02D.pdf2.LQG15WZ9N1H02D.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 0402 (1005 Metric) |
| การใช้: | Unshielded |
| ชนิด: | Multilayer |
| ขนาด / มิติ: | 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) |
| ชุด: | LQG15 |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ความนิยม: | AEC-Q200 |
| โพลาไรซ์: | 0402 (1005 Metric) |
| ชื่ออื่น: | 490-15299-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | LQG15WZ9N1H02D |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.020" (0.51mm) |
| ประเภทอุปกรณ์: | 9.1nH |
| ความถี่ - การทดสอบ: | 3.4GHz |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 170 mOhm Max |
| ขยายคำอธิบาย: | 9.1nH Unshielded Multilayer Inductor 550mA 170 mOhm Max 0402 (1005 Metric) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±3% |
| ลักษณะ: | FIXED IND 9.1NH 550MA 170 MOHM |
| ระยะเวลาที่ล่าช้า: | 100MHz |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | - |
| พิกัดกระแส: | 550mA |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | Air |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ LQG15WZ9N1H02D
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด