LQG15HH2N7C02D พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ LQG15HH2N7C02D เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ LQG15HH2N7C02D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ LQG15HH2N7C02D ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
LQG15HH2N7C02D
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- LQG15HH2N7C02D
- ผู้ผลิต:
- Murata Electronics
- ลักษณะ:
- FIXED IND 2.7NH 800MA 120 MOHM
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 58951 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.LQG15HH2N7C02D.pdf2.LQG15HH2N7C02D.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | Chip |
| การใช้: | Unshielded |
| ชนิด: | Multilayer |
| ขนาด / มิติ: | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| ชุด: | LQG15 |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ความนิยม: | AEC-Q200 |
| โพลาไรซ์: | 0402 (1005 Metric) |
| ชื่ออื่น: | 490-15037-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | LQG15HH2N7C02D |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.022" (0.55mm) |
| ประเภทอุปกรณ์: | 2.7nH |
| ความถี่ - การทดสอบ: | 6GHz |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 120 mOhm Max |
| ขยายคำอธิบาย: | 2.7nH Unshielded Multilayer Inductor 800mA 120 mOhm Max 0402 (1005 Metric) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±0.2nH |
| ลักษณะ: | FIXED IND 2.7NH 800MA 120 MOHM |
| ระยะเวลาที่ล่าช้า: | 100MHz |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | - |
| พิกัดกระแส: | 800mA |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | Air |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ LQG15HH2N7C02D
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?