LP3928TL-1828/NOPB พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ LP3928TL-1828/NOPB เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ LP3928TL-1828/NOPB ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ LP3928TL-1828/NOPB ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
LP3928TL-1828/NOPB
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- LP3928TL-1828/NOPB
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 16USMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 57348 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- LP3928TL-1828/NOPB.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - VCCB: | 1.65V ~ 3.6V |
| แรงดันไฟฟ้า - VCCA: | 1.65V ~ 1.95V |
| ประเภทนักแปล: | Voltage Level |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-µSMD (2x2) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-WFBGA |
| ประเภทขาออก: | Tri-State, Non-Inverted |
| สัญญาณเอาท์พุท: | - |
| ชื่ออื่น: | *LP3928TL-1828 *LP3928TL-1828/NOPB LP3928TL-1828/NOPBCT LP3928TL-1828CT LP3928TL-1828CT-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| จำนวนแผงวงจร: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| สัญญาณอินพุต: | - |
| คุณลักษณะเด่น: | SIM Card Interface |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Voltage Level Translator Bidirectional 1 Circuit 3 Channel 16-µSMD (2x2) |
| อัตราการส่งข้อมูล: | - |
| ช่องต่อวงจร: | 3 |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด): | Bidirectional |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | LP3928 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ LP3928TL-1828/NOPB
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด